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表面電位測定による多結晶Ge 薄膜の粒界特性評価

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

筑波大、前田 真太郎

Ge薄膜

基本情報

 Geは狭バンドギャップで優れたキャリア輸送特性を持ち、太陽電池やトランジスタへの応用が期待されている。本研究では固相成長法を用いて絶縁体上に多結晶Ge薄膜を合成し、キャリア移動度の向上を目指した。粒界密度の低減やポテンシャル障壁の低減を試みたものの、粒界への理解は不十分であった。表面電位測定により、多結晶Ge薄膜の粒界特性を調査し、p型では高く、n型では低い表面電位が粒界において観察された。これは、粒界が電気的活性が低く、ポテンシャル障壁が低いことを示している。また、非晶質前駆体の加熱堆積により大きな結晶粒が得られ、結晶粒径と粒界に対応した表面電位のコントラストが観察可能になった。この研究は、Ge薄膜の粒界特性の理解と制御に貢献し、高機能なデバイスへの応用が期待されている。

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グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央地区 港区 1-2-10 堀川ビル6F

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1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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