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GaInSb HEMT のバリア層薄膜化による真性遅延時間低減
東京理科大、河野 亮介
HEMT
基本情報
我々は以前 Sb系高電子移動度トランジスタ（HEMT）で300 GHzを超える電流利得遮断周波数fTを達成した。この研究では、GaInSb HEMTの遅延時間を減少させるためにバリア層を薄くすることがデバイス性能に与える影響を解析した。バリア層を薄くした結果、最大ドレイン電流は約22%減少したが、最大相互コンダクタンスは同程度を維持し、閾値電圧は正方向にシフトした。fTは300 GHzから293 GHzにわずかに減少した。寄生遅延時間は増加したが、真性遅延時間は減少した。これはバリア層の薄膜化がデバイス特性に肯定的な影響を与えることを示しており、エピタキシャル構造やデバイスプロセスの改善により さらなる性能向上が期待される。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 港区中央 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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GaInSb HEMT のバリア層薄膜化による真性遅延時間低減
