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- 接着剤 接着テープ
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- セラミックパッケージ
- フリップチップ用エポキシ樹脂封止材
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- マスク基板
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- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
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極性反転層を用いた高品質Ｎ極性面AlN 上GaN/AlN HEMT の性能改善
山口大、Aina Hiyama Zazuli
窒化物半導体HEMT
基本情報
窒化物半導体のGaNやAlNは、高耐圧や高温での動作が可能な高電子移動度トランジスタ（HEMT）として注目されている。特にN極性面GaN/AlN構造は、高耐圧、高温動作、高キャリア密度を実現するための有望な技術である。本研究ではAl極性AlN極小ピット層と極性反転構造を用いて、平坦性と結晶品質が向上したN極性GaN/AlN構造を作製し、最大ドレイン電流が約500 mA/mmのFETを作製した。しかし、リーク電流の大きさが課題で、極性反転層を用いないN極性面GaN/AlGaN/AlN構造を開発し、リーク電流がなく良好なピンチオフ特性を持つことを確認した。極性反転層の界面に不純物が多く存在することがリークの原因であると考えられ、極性反転層を避けることでリーク電流を低減できることが示された。この研究により、HEMTの性能向上に向けた新たな道が開かれた。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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