酸化の製品一覧
GaN 自立基板上に作製したmist-Al2O3/n-GaN 構造の評価
グローバルネット株式会社
熊本大、谷田部 然治
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Improved quality and interface of Al2O3 towards quiet Ge-based spin qubit environment
グローバルネット株式会社
東工大、Chutian Wen
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酸化抑制プロセスによる高濃度ボディ層を有するSiC(0001)
グローバルネット株式会社
京大、立木 馨大
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有機金属触媒含有液体樹脂からなる3D プリンター印刷物の無電解 Ni-P めっき
グローバルネット株式会社
東工大、高畠 伸典
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光電気化学エッチングを施したp-GaN MOS 界面の特性に対する界面形成プロセスの影響
グローバルネット株式会社
北大、焦 一寧
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HVPE 基板およびOVPE 基板上GaN エピ層の特性評価
グローバルネット株式会社
名工大、古橋 優
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Ni 超薄膜へのSiH4 照射によるシリサイド化反応制御
グローバルネット株式会社
名大、谷田 駿
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ミニマル液体ドーパント・プロセスを用いたMOSFET のシート抵抗の面内均一化
グローバルネット株式会社
ミニマルファブ推進機構、中道 修平
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コンタクトレスPEC エッチングを用いたGaN ナノワイヤ作製におけるマスク材料の検討
グローバルネット株式会社
北大、古内 久大
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【世界半導体材料市場年鑑2024】
グローバルネット株式会社
ウエーハやレジスト、ガスや薬液など、半導体製造装置に使用される主要な材料を、日本・米国・韓国・台湾・欧州・中国・その他アジア地域に分類…
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