半導体用語集
酸化
英語表記：Oxidation
半導体・酸化膜接合の形成技術としては、熱酸化法、陽極酸化法、プラズマ酸化法などの他、CVD（ChemicalVapor Deposition）技術を利用した
堆積法、ヘテロエピタキシャル成長法、張り合わせ法、イオン注入技術を利用した SIMOX （Separation by Im-planted Oxygen）法などがあげられる。
シリコンの場合は、ゲート絶縁膜、表面の不活性化、熱処理プロセスや選択イオン注入における表面保護膜などを目的として熱酸化法や堆積法によりシリコン・酸化膜の接合が広く利用され、シリコン素子作成の主要技術に数えられている。
化合物半導体と酸化膜との接合形成の場合も、その目的、方法はシリコンにおける場合と同様であるが、たとえばIII-V族化合物半導体ではV族元素が高い蒸気圧を持ち、容易に解離することから、プロセスの低温化、短時間化などの解離防止策が必要となる。また化合物半導体・酸化膜の界面では、シリコン・シリコン酸化膜界面と比較して、界面準位密度が高いため FETなどへの応用には界面準位密度の低下策も併せて必要となる。
化合物半導体表面は酸化されやすく、室温で短時間のうちに自然酸化膜が形成される。制御されずに形成された自然酸化膜と化合物半導体との界面には、多くの界面準位が形成され、フェルミ準位のピンニングが発生する。
このため界面準位密度の低下策として、自然酸化膜の除去、制御された酸化膜の形成、他の絶縁膜の利用、酸化膜と他の絶縁膜との複合化なども行われる。
たとえばⅢ-Ｖ族化合物半導体の直接熱酸化はV族元素が容易に解離することから低温で行われるが、酸化膜の組成はⅢ族元素の酸化物が主成分となりやすい。熱酸化より低温で酸化が可能な、陽極酸化、プラズマ酸化、プラズマ陽極酸化では、熱酸化の場合よりV族元素を多く含む膜がえられるが、シリコンの酸化膜と異なり、化合物半導体の酸化膜は一般に耐薬品性や熱的安定性に欠ける。
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