半導体用語集
陽極酸化法
英語表記：anodic oxidation
直接酸化法における酸化膜の形成は、酸化種がすでにできている酸化膜の中を通り抜けて半導体・酸化膜の界面に到達し、ここで半導体の酸化反応が起こることによって進行する。陽極酸化法は直接酸化法の一種であり、酸化種が酸化膜中を移動・通過する際、外部から印加された酸化膜にかかる電界により酸化膜中でイオン化した酸化種の移動が促進される特徴を持つ。化合物半導体では、V族元素が高い蒸気圧を持つことに伴う解離現象を抑えるため、低温酸化技術が不可欠であるが、一般的に低温化とともに酸化種の酸化膜中における移動速度および半導体表面における酸化反応は抑制される傾向を持つ。化合物半導体では室温においても早い酸化反応が確認されているため、酸化膜中の酸化種の輸送を促進させる陽極酸化法は、化合物半導体の酸化膜を低温で形成する技術として重要な位置を占める。
化合物半導体の陽極酸化に用いられている方法として、電気化学的陽極酸化法とプラズマ陽極酸化法があげられる。電気化学的陽極酸化法は化合物半導体を陽極とし、電解質溶液（代表的には水+酒石酸＋エチレングリコール）中で通電しながら電気化学反応により化合物半導体表面を酸化させる湿式法である。プラズマ陽極酸化法は高周波グロー放電などにより発生させた酸素プラズマを用いて酸化させる乾式法であり、いずれも良質な半導体・酸化膜接合がえられる方法として知られている。
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