半導体用語集
陽極酸化
英語表記：anodic oxidation
酸化膜を溶かさない電解質中での陽極酸化膜の成長は、酸化イオン種の移動を電界が加速することによる。酸化イオンはSi+イオンであることがわかっている。酸化膜の成長はSi+イオンがSiと酸化膜の界面を離脱し、酸化膜中をドリフトして酸化膜表面に達する。そこで酸素と結合し酸化反応が起こる。この方法には、流す電流を一定にする定電流法と陽極と陰極間の電圧を一定にする定電圧法がある。酸化膜を流れる電流のうち1 %程度がSi+イオン電流である。陽極酸化法は、Si基板の裏面に陽極電極を接着し、陰極にはPt電極などを用いる。電解質には、0.04規定のKN03のメチルアセトアミド溶液や少量の水を含んだ0.04規定のKN03のエチレングリコール溶液などが用いられる。陽極酸化法では、電解液中のイオンが酸化膜中に混入することは避けられない。そのため高い純度の酸化膜をえることは難しく、電気的特性の安定性も十分ではない。しかし、常温でも酸化膜が形成できる特徴がある。
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