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コンタクトレスPEC エッチングを用いたGaN ナノワイヤ作製におけるマスク材料の検討

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年08月29日

北大、古内 久大

光電気化学エッチング

基本情報

 光電気化学(PEC)エッチングは、GaNの低損傷加工に用いられる技術で、電解液と半導体界面での酸化反応を制御してエッチングを行う。配線が不要なコンタクトレスPEC(CL-PEC)エッチングも開発され、GaNナノワイヤ(NW)の製造に応用されているが、エッチング後のNW側面の平滑化に課題がある。本研究では、従来のTiマスクに代わりCrマスクを使用したCL-PECエッチングによるNW製造を行い、マスク材料の違いがエッチング結果に与える影響を検討した。CrマスクはTiマスクと同等のエッチングレートを示し、アルカリ溶液処理後にはTiマスクよりもアンダーカットが少なく、垂直性の高いNWが形成された。この違いはマスク材料のPECエッチングおよびアルカリ溶液に対する耐性の差によると考えられる。

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業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F

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1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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