CDの製品一覧
Si/Ge/SiO2 の低温成長とその構造及び電気特性評価
グローバルネット株式会社
山梨大、近藤 弘人
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水蒸気低温プラズマジェット照射によるポリシラザンのシリカ転化メカニズム
グローバルネット株式会社
広島商船高専、酒池 耕平
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表面電位測定による多結晶Ge 薄膜の粒界特性評価
グローバルネット株式会社
筑波大、前田 真太郎
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低コスト化と高放熱性に向けたGaN on-diamond HEMTs 構造の作製
グローバルネット株式会社
大阪公立大、富山 葉月
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ミリ波GaN IMPATT ダイオード作製に向けた光化学(PEC)エッチングプロセスの開発
グローバルネット株式会社
名大、豊田 拓輝
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印刷とパルスレーザーアニールによるSi 基板上へのSiGe 薄膜成長
グローバルネット株式会社
名大、佐藤 剛志
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高温熱処理がn-GaN ショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性に与える影響
グローバルネット株式会社
名大、權 熊
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GaInSb HEMT のバリア層薄膜化による真性遅延時間低減
グローバルネット株式会社
東京理科大、河野 亮介
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ホモエピタキシャル成長n 型GaN 中の格子間窒素が形成する2 つの準位の特定
グローバルネット株式会社
名大、遠藤 彗 堀田 昌宏(本研究に関する問合せ先)
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電流狭窄層に高抵抗歪超格子層を用いたSi 基板上AlGaN/GaN 縦型デバイス
グローバルネット株式会社
名工大、久保 俊晴
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