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- エッチングガス
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- 接着剤 接着テープ
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- 封止樹脂
- セラミックパッケージ
- フリップチップ用エポキシ樹脂封止材
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- マスク基板
- マスクブランクス
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- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
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ミリ波GaN IMPATT ダイオード作製に向けた光化学(PEC)エッチングプロセスの開発
名大、豊田 拓輝
GaNデバイス
基本情報
GaN IMPATT(Impact ionization avalanche time transit)ダイオードは、マイクロ波からサブミリ波帯での高出力発振器として期待されている。我々はマイクロ波帯での動作を以前に報告したが、ミリ波帯への拡大には寄生抵抗の低減が必要である。従来のメサ型構造では、高周波化に伴う接合直径の減少がp-GaNの接触抵抗増大につながる。そこで光化学エッチング(PEC)の伝導型選択性を利用し、p-GaNへの接触面積を維持しながら接合直径を減少させる新規プロセスを開発した。PECエッチングにより、p-GaN層のみを残してn-GaN層を横方向にエッチングすることが可能であり、GaN p-nダイオードの形状制御が実現できることが確認された。エッチングレートは250 nm/minで、SEM像からもその効果が明らかで、この技術により高周波帯でのGaN IMPATTダイオードの性能向上が期待される。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 港区中央 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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