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印刷とパルスレーザーアニールによるSi 基板上へのSiGe 薄膜成長

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

名大、佐藤 剛志

SiGeSn

基本情報

 SiGeSn混晶薄膜の研究では、光学的・電気的特性の向上が期待されており、最近の研究でAl-Geペーストの印刷と焼成により、Si基板上にSiGe薄膜を成長させることに成功した。このプロセスは、パルスレーザーアニール(PLA)による非平衡プロセスを利用している。PLAによるSiGe薄膜形成の実験では、合金ペーストを使用した場合にSi基板へのGeの溶融を伴いながら均一なSiGe薄膜が成長することが確認された。また、PLAの条件によっては、ドーナツ型の表面形状と凹凸に応じたGe組成を有するSiGe薄膜が形成されることが示された。この研究は、Snを添加することで高機能なIV族混晶薄膜の形成への応用が期待されている。

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業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F

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1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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