カテゴリー
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- 熱電対／パイロメータ
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- マスフローコントローラ
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- クリーニングガス
- めっき材料
- コーティング材料
- イオンドーピングガス
- 厚膜・その他レジスト
- エッチング液
- エッチングガス
- スラリー
- パッド
- パッドコンディショナ
- 洗浄液
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- サブストレート（パッケージ基板）／インターポーザ
- TAB・COFテープ 接着剤 接着テープ
- 接着剤 接着テープ
- アンダーフィル
- ボンディングワイヤ
- リードフレーム
- はんだボール
- 封止樹脂
- セラミックパッケージ
- フリップチップ用エポキシ樹脂封止材
- バックグラインディングプロセス用テープ/ウエハレベルCSP用裏面保護フィルム
- ダイシング／ダイボンディング用フィルム
- その他フィルム
- マスク基板
- マスクブランクス
- フォトマスク
- ガラス基板（液晶）
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- Crガス、薬液、Si
- Cr、ITO
- カラーフィルタ用色材（カラーレジスト/顔料）、インクジェット用インク
- フォトレジスト、現像液
- 配向膜材料（SiO2）：CVDガス材料、ポリイミド（樹脂）
- 液晶材料
- スペーサ材料（シリコン球）
- シール（封止）材（接着剤）／メインシール材／仮接着剤
- 液晶注入口封止材（紫外線硬化樹脂材料）
- 偏光フィルム
- 基板（仮配置基板）
- ポリイミド樹脂
- 正孔注入層材（有機膜）
- 正孔輸送層材（有機膜）
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 高分子有機EL材料
- 有機EL材料（蒸着用）
- 蒸着材料
AlN 系分極ドープFET の構造検討
NTT、廣木 正伸
窒化物半導体
基本情報
AlNはその高い絶縁破壊電界（12 MV/cm）によりパワーデバイスに適しているが、Siドナーのイオン化エネルギーが大きく、室温での電子濃度が低いという課題があり、NTT物性科学基礎研究所はAl組成が減少する組成傾斜AlGaN下地層を持つ分極ドープFET（PolFET）を開発し、AlN MESFETよりも100倍以上のドレイン電流を達成した。C-V測定によるキャリアプロファイルの評価から、Al組成の減少に伴いピーク濃度が上昇するものの、チャネル層下部の空乏化が見られることが明らかになった。これは、下地層の負の分極電荷の増加によるものであり、Siドーピング量の調整が重要であることを示している。また、Al 組成x = 0.66のPolFETでは、最大ドレイン電流が120 mA/mmに達し、組成傾斜分極ドープ構造が高Al組成AlGaNチャネルで高ドレイン電流を実現することを確認した。この研究はAlNを用いたパワーデバイスの性能向上に貢献する可能性を示している。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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