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高温熱処理がn-GaN ショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性に与える影響

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

名大、權 熊

GaNデバイス

基本情報

 縦型GaNパワーデバイスの製造において、Mgイオン注入やMg熱拡散を用いたp-GaN領域の形成が重要であるが、これらのプロセスには高温熱処理が必要である。しかし、この熱処理はn-GaNショットキーバリアダイオード(SBD)の電気特性に悪影響を及ぼすことが知られている。AlN保護膜を用いた高温熱処理の実験では、1200℃での処理が表面欠陥を増加させ、逆方向リーク電流と光ルミネセンスの強度増加に関連していることが示された。これにより、電気特性が悪化する可能性があるため、選択的p型領域の作製には熱処理による欠陥の発生に注意が必要である。

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業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央地区 港区 1-2-10 堀川ビル6F

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1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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