グローバルの製品一覧
印刷とパルスレーザーアニールによるSi 基板上へのSiGe 薄膜成長
グローバルネット株式会社
名大、佐藤 剛志
詳細を確認する
高温熱処理がn-GaN ショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性に与える影響
グローバルネット株式会社
名大、權 熊
詳細を確認する
GaInSb HEMT のバリア層薄膜化による真性遅延時間低減
グローバルネット株式会社
東京理科大、河野 亮介
詳細を確認する
ホモエピタキシャル成長n 型GaN 中の格子間窒素が形成する2 つの準位の特定
グローバルネット株式会社
名大、遠藤 彗 堀田 昌宏(本研究に関する問合せ先)
詳細を確認する
電流狭窄層に高抵抗歪超格子層を用いたSi 基板上AlGaN/GaN 縦型デバイス
グローバルネット株式会社
名工大、久保 俊晴
詳細を確認する
The Study of Electrical Characteristics of GaN MIS-HEMT at Cryogenic Temperature
グローバルネット株式会社
International College of Semiconductor Technology
詳細を確認する
マイクロ波無線電力伝送応用に向けた高周波Ga2O3 ショットキーバリアダイオードの構造設計
グローバルネット株式会社
大阪公大、江口 輝生
詳細を確認する
ダイヤモンドMOSFET の高電圧(105V) スイッチング動作
グローバルネット株式会社
佐賀大、白土 智基
詳細を確認する
SPICE シミュレーションを用いた縦型GaN MOSFET の損失解析と性能予測
グローバルネット株式会社
名大、岡 徹
詳細を確認する
KrF エキシマレーザーによるβ-Ga2O3 へのSn ドーピング
グローバルネット株式会社
九大、別府 美彩
詳細を確認する関連用語
関連特集
企業特集
「グローバル」の関連企業一覧
グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990…
詳細を確認する
キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
