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ダイヤモンドMOSFET の高電圧(105V) スイッチング動作

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年08月30日

佐賀大、白土 智基

ダイヤモンドMOSFET

基本情報

 ダイヤモンドは5.47eVのバンドギャップを持つ半導体で、次世代のパワー半導体として注目されている。我々の研究チームはダイヤモンド製MOSFETのパワー回路を作製し、100時間のACストレステストで劣化がないことを確認した。さらにバイアス電圧-10.75Vで10ns未満の高速スイッチング特性を実現した。最新の実験では105Vの高電圧バイアスでスイッチング特性を測定し、ターンオン時間7.64ns、ターンオフ時間4.93nsという安定した高速スイッチング動作を達成した。これらの結果は、ダイヤモンドMOSFETが高電圧下でも効率的にスイッチング可能であり、実用的なパワー回路への応用が期待できることを示している。

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業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F

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1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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