基板の製品一覧
100 GHz 帯1 W級GaN パワーアンプMMIC の開発
グローバルネット株式会社
富士通、熊崎 祐介
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多端子C–V 法を用いたAlSiO/AlN/p 型GaN-MOSFET の禁制帯中準位の評価
グローバルネット株式会社
豊田中研、成田 哲生
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印刷とパルスレーザーアニールによるGe 基板上へのGeSn 薄膜成長
グローバルネット株式会社
名大、佐藤 剛志
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Si 薄膜のレーザ結晶化における線状Agglomeration (IV)
グローバルネット株式会社
Sasaki Consulting、佐々木 伸夫
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貫通転位密度の異なる自立GaN 基板上にN/Mg イオン注入により作製したp-n 接合ダイオードの電気特性
グローバルネット株式会社
名大、伊藤 佑太
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HVPE 基板およびOVPE 基板上GaN エピ層の特性評価
グローバルネット株式会社
名工大、古橋 優
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Si/Ge/SiO2 の低温成長とその構造及び電気特性評価
グローバルネット株式会社
山梨大、近藤 弘人
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低コスト化と高放熱性に向けたGaN on-diamond HEMTs 構造の作製
グローバルネット株式会社
大阪公立大、富山 葉月
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印刷とパルスレーザーアニールによるSi 基板上へのSiGe 薄膜成長
グローバルネット株式会社
名大、佐藤 剛志
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電流狭窄層に高抵抗歪超格子層を用いたSi 基板上AlGaN/GaN 縦型デバイス
グローバルネット株式会社
名工大、久保 俊晴
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