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100 GHz 帯1 W級GaN パワーアンプMMIC の開発

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

富士通、熊崎 祐介

GaN

基本情報

 Beyond 5G/6G通信のために、サブテラヘルツ波(90GHz以上)の利用が検討されており、これには高出力パワーアンプが必要である。本研究では、100GHz帯で1W以上の出力を持つGaNパワーアンプMMICの開発に成功した。SiC基板上に複数の層を結晶成長させ、高濃度n型GaN低抵抗層を形成し、Ti/AlとNi/Auを蒸着して電極を作製した。SiNxのパッシベーション層をPE-CVDで成膜し、pre-SAGとpost-SAG passivationを施した。これによりオン電流の向上、オン抵抗の低減、電流変動の抑制が達成された。3段2並列のパワーアンプMMICは、15Vで最大17.1%のPAEと0.76Wの出力電力、20Vで最大14.3%の効率と1.0Wの出力電力を実現した。最終段トランジスタのドレイン効率は30%以上であり、トランジスタとMMICの回路構成の改善により、さらなるパワー特性の向上が期待され、この技術は超大容量通信を実現するための重要なステップである。

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業種:産業用電気機器  所在地:東京都 港区中央 1-2-10 堀川ビル6F

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1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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