半導体用語集
酸化誘起積層欠陥
英語表記：oxidation induced stacking fault
シリコンを酸化していく際に、Si·SiO₂界面では常に酸素不足になりがちであり、その結果として、不完全酸化によるシリコンが過飽和シリコンとして格子間シリコンに弾き出される。あるいはシリコンの酸化では酸化することで体積膨張が起こり、結果として余分のシリコン原子が格子間シリコンとして弾き出される。これらによって形成される積層欠陥がOSFである。弾き出されたシリコン原子は (111) 面内に存在し、＜110＞方向にのびた積層欠陥として観測される。実験的には、酸化後にSiO₂を除去し、選択的化学エッチング（Seccoエッチングあるいは Wrightエッチング）することによって、線状のピットとして観測することができる。酸化誘起積層欠陥 (OSF) の密度は面方位に依存し、(100) 面ではOSF密度は高い。また、OSF密度はシリコン基板のドーパント種にも依存し、n型基板ではp型にくらべOSF密度は高い。基板シリコンのフェルミレベルが点欠陥の活性化に与える効果が考えられているが、必ずしも明らかでない。OSF長さは酸化温度に関して活性化型を示し、酸化時間に関してはべきの形でほぼ表わされることが報告されている。
このような欠陥は少数キャリアのライフタイムを短くしたり、pn接合にかかっていると、接合リークを引き起こすおそれがあり、注意深い取り扱いが必要である。
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