エピタキシの製品一覧
CF4/H2プラズマによるエピタキシャル成長したSi0.7Ge0.3/Si/Si0.7Ge0.3積層膜からのSi ナノシートの形成
グローバルネット株式会社
名大院工、尾崎 孝太朗
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フラッシュランプアニールによるエピタキシャルSi:P 層の再活性化
グローバルネット株式会社
株式会社SCREEN セミコンダクターソリューションズ、植野 雄守
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エピタキシャル成長したSi0.7Ge0.3およびSi 薄膜におけるH2希釈CF4ガスによるドライエッチング ? 基板温度依存性?
グローバルネット株式会社
名大院工、尾崎 孝太朗
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世界半導体材料市場年鑑2025
グローバルネット株式会社
半導体サプライチェーンの情報を包括的に集積させるため、世界半導体材料市場年鑑2025を刊行！ ウエーハやレジスト、ガスや薬液など、半導体製…
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GaN 自立基板上に作製したmist-Al2O3/n-GaN 構造の評価
グローバルネット株式会社
熊本大、谷田部 然治
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MEMS デバイス適用へ向けた極厚膜低ストレスLPCVD Poly-Si 膜の膜厚方向の電気抵抗評価
グローバルネット株式会社
株式会社KOKUSAI ELECTRIC、鋪田 嚴
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ホモエピタキシャル成長n 型GaN において電子線照射によりEC − 1 eV 付近に形成される窒素変位関連トラップの熱アニール挙動
グローバルネット株式会社
名大、遠藤 彗 堀田 昌宏(本研究に関する問合せ先)
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GaInSb HEMT のバリア層薄膜化による真性遅延時間低減
グローバルネット株式会社
東京理科大、河野 亮介
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ホモエピタキシャル成長n 型GaN 中の格子間窒素が形成する2 つの準位の特定
グローバルネット株式会社
名大、遠藤 彗 堀田 昌宏(本研究に関する問合せ先)
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The Study of Electrical Characteristics of GaN MIS-HEMT at Cryogenic Temperature
グローバルネット株式会社
International College of Semiconductor Technology
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