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- 接着剤 接着テープ
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- マスク基板
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エピタキシャル成長したSi0.7Ge0.3およびSi 薄膜におけるH2希釈CF4ガスによるドライエッチング ? 基板温度依存性?
名大院工、尾崎 孝太朗
ナノシート
SiGe
基本情報
Siナノシート形成のためのSiGe選択エッチングにおいて、CF4/H2プラズマを用いたドライエッチングの基板温度依存性を調査しました。温度20?CではSi0.7Ge0.3に対するSiの選択比~3.6を達成しましたが、温度低下に伴いエッチングレートと選択比が減少しました。これは低温により活性種の脱離エネルギーが不足するためと解釈されます。また、低温での表面ラフネス抑制とFluorocarbon膜の堆積が確認されました。最適温度設定が選択エッチングの重要な要因となります。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 港区中央 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2025年には創業35年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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