半導体用語集
エピタキシ
英語表記：Epitaxy
単結晶基板上に結晶方位が揃った単結晶の薄膜を気相成長法などによって堆積成長させる方法。エピタキシによって得られる薄膜結晶はバルクの結晶に比べ、結晶性、純度共に優れている。シリコン（Si）エピタキシャル成長では、チャンバー内でプライムウエハを950～1050℃に加熱しモノシラン（SiH4）ガスを水素ガス中で熱分解することでプライムウエハと同じ結晶構造をもつSi単結晶薄膜が成長する。また、ジボラン（B2H6）やフォスフィン（P2H5）などのドーパントをキャリアガスに混ぜてP型、N型エピタキシャル成長膜を形成することが出来る。
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