半導体用語集
エピタキシ
英語表記：Epitaxy
単結晶基板上に結晶方位が揃った単結晶の薄膜を気相成長法などによって堆積成長させる方法。エピタキシによって得られる薄膜結晶はバルクの結晶に比べ、結晶性、純度共に優れている。シリコン（Si）エピタキシャル成長では、チャンバー内でプライムウエハを950～1050℃に加熱しモノシラン（SiH4）ガスを水素ガス中で熱分解することでプライムウエハと同じ結晶構造をもつSi単結晶薄膜が成長する。また、ジボラン（B2H6）やフォスフィン（P2H5）などのドーパントをキャリアガスに混ぜてP型、N型エピタキシャル成長膜を形成することが出来る。
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MOCVD GaAsエピタキシャルウエハの市場規模、シェア、成長、メーカー 2035年
KD Market Insights Private Limited
この調査レポートはMOCVD GaAsエピタキシャルウェーハ市場の調査報告書です。この調査レポートは、MOCVD GaAs Epitaxial Wafer市場の2025年から2035年までの将来動向と機会分析に関する市場調査報告書です。
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