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MEMS デバイス適用へ向けた極厚膜低ストレスLPCVD Poly-Si 膜の膜厚方向の電気抵抗評価

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

株式会社KOKUSAI ELECTRIC、鋪田 嚴

MEMS

基本情報

 MEMS慣性センサーの製造において、SOIウェーハの代わりにエピタキシャル成長した厚膜poly-Siが使用されている。このEpi-poly-Siは枚葉処理によるスループットの問題を抱えているが、LPCVDを用いたバッチ処理によるPoly-Si膜の開発が進んでおり、結晶成長を阻害する層(ILIS)を挿入することで、低ストレス勾配と低膜ストレスを実現している。ILIS構造では、阻害層の挿入による膜厚方向の抵抗率の増加が懸念されたが、実際には0.1 Ωcmのわずかな増加に留まり、これは結晶粒径の違いによるものと考えら、この技術は、MEMS慣性センサーの性能向上に寄与する可能性がある。

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グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F

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1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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