半導体用語集
化学的気相成長
英語表記：CVD : Chemical Vapor Deposition
薄膜の原料ガスを基板上に供給し、化学反応により分解あるいは合成して薄膜を堆積する技術である。反応を制御するパラメータは温度、圧力、流量、混合比、濃度などである。CVDには成膜圧力範囲や成膜エネルギーや成膜ソースの種類により様々に分類される。常圧で成膜するAPCVD (Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition)、0.05Torr程度の減圧で成膜するLPCVD (Low-Pressure Chemical Vapor Deposition)、常圧よりやや低い600T0rr程度の圧力のSACVD (Subatmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition)、超高真空のUHVCVD(UItraHigh-Vacuum Chemical Vapor Deposition)がある。熱CVDと呼ばれる600～1000℃の高温のCVDではシリコン(Si)エピタキシャル成長やシリコン窒イ莞(Si3N4)、シリコン酸化膜 (Si02)などの緻密な薄膜が形成できる。熱エネルギーの代わりに高周波プラズマエネルギーを用いることで低温化が可能になり、200～450℃で成膜できる。これをプラズマCVD(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition)と呼ぶ。紫外線による励起を利用した光CVDもある。一方、ソースに有機金属を用いた化合物結品成長用のCVDはMOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition)という。
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