グローバルの製品一覧
AlGaN/GaN HEMT 動作下におけるナノ秒応答格子変形の支配因子の解析
グローバルネット株式会社
阪大、山口将矢 酒井 朗 ら
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印刷とパルスレーザーアニールによるGe 基板上へのGeSn 薄膜成長
グローバルネット株式会社
名大、佐藤 剛志
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多結晶Ge 系IV 族半導体薄膜の電気的特性制御
グローバルネット株式会社
筑波大、野沢 公暉
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Si 薄膜のレーザ結晶化における線状Agglomeration (IV)
グローバルネット株式会社
Sasaki Consulting、佐々木 伸夫
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EID AlGaN/GaN MOS-HEMT のゲート電極直下の電子状態解析
グローバルネット株式会社
三菱電機、南條 拓真
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酸素イオン注入n 型GaN で観測される実効ドナー密度変動と長い捕獲時定数を持つトラップの関係性
グローバルネット株式会社
名大、林 慶祐 堀田 昌宏(本件に関わる問合せ先)
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貫通転位密度の異なる自立GaN 基板上にN/Mg イオン注入により作製したp-n 接合ダイオードの電気特性
グローバルネット株式会社
名大、伊藤 佑太
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GeSiSn/GeSn 二重障壁構造で観測した負性微分抵抗と動作特性解析
グローバルネット株式会社
名大、柴山 茂久
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HVPE 基板およびOVPE 基板上GaN エピ層の特性評価
グローバルネット株式会社
名工大、古橋 優
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小電力応用に優れた針接触Ge ショットキーバリアダイオードのデバイス特性
グローバルネット株式会社
東京工科大、安藤 陸
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990…
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