半導体用語集

CMP装置

英語表記:CMP system

半導体デバイスのプラナリゼーション(平坦化)を行うために用いられる研磨装置。CMPはChemical Mechanical Polishing (化学的機械研磨)の略称でである。CMP装置はシリコンウェーハ製造用のミラーポリシング装置と基本的には同じ構成である。CMPでは研磨量が少ないこと、その仕上がり精度がより厳しいことなどのため、枚葉研磨が一般的に行われる。さらに、生産性の向上を図るため、研磨ヘッドを複数装備し、ウェーハを枚葉研磨しながら同時に複数枚処理する方式が量産装置として用いられる。研磨定盤は一般的には回転体として構成されるが、ベルト状の直線運動体、円筒ロール状の回転体として構成されるものも提案されている。半導体デバイス製造装置としてCMP装置に求められる要件は、①1μm以下の研磨量に対して、ローカル、グローバルプラナリゼーションが達成でき、研磨環境の清浄度確保ができること。②装置が軽量でフットプリントが小さい、スループットが高くランニングコストが低いことである。また、半導体デバイスの製造工程で使用されることから、カセットツーカセット、洗浄装置との連結、インプロセス終点検出さらにはホストコンピュータとの通信機能、AGV(カセット自動搬送車)対応などCMP装置システムとして構成することが求められる。



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