耐圧の製品一覧

シリコン薄膜スーパージャンクション構造を用いた横型パワーMOSFET
グローバルネット株式会社

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東大生研、李 珍秀

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トレンチフィールドプレートパワーMOSFET における積層ゲート膜化によるTDDB ばらつき改善
グローバルネット株式会社

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東芝デバイス&ストレージ株式会社、石井 大智

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通電劣化を抑制したダブルインプラSiC スーパージャンクションUMOSFET
グローバルネット株式会社

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産総研、竹中 研介

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フリーホイールダイオードを内蔵したソース接続分極超接合トランジスタの飽和電流増加構造の検討
グローバルネット株式会社

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名大、小久保 瑛斗

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N 極性面GaN/AlN 高電子移動度トランジスタのGaN チャネルの最適化
グローバルネット株式会社

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山口大、藤井 開

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極性反転層を用いた高品質N極性面AlN 上GaN/AlN HEMT の性能改善
グローバルネット株式会社

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山口大、Aina Hiyama Zazuli

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SPICE シミュレーションを用いた縦型GaN MOSFET の損失解析と性能予測
グローバルネット株式会社

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名大、岡 徹

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1.36 A, 1 kV 耐圧 β-Ga2O3 double-implanted MOS トランジスタ
グローバルネット株式会社

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ノベルクリスタルテクノロジー、宮本 広信

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β-(Al0.17Ga0.83)2O3 電界効果トランジスタ(MESFET)の電気的特性評価
グローバルネット株式会社

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筑波大、森田 燎

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ICE20N60FP 20A,600V Power MOSFET

アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

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