半導体用語集
耐圧
英語表記：breakdown voltage
トランジスタ、ダイオードなどの端子に印加しても、デバイス特性に異常をきたさない最大の電圧。ダイオードの場合は逆方向電圧、 トランジスタの場合はコレクタ電圧、FETではドレイン電圧についていうことが多い。耐圧を超える電圧を印加すると、その端子に流れる電流が急激に上昇し、デバイスの破壊に至ることもある。耐圧を決める要因の中で代表的なものは、衝突イオン化である。これは、電界によって加速されたキャリアがチャネルを構成する材料のバンドギャップより高いエネルギーを持つようになった時、価電子帯にある電子を伝導帯に励起させ、新たに一対の電子・ホールを作る過程である。生成された電子・ホール対はそれ自体がキャリアとなって竜流に寄与し、電流値の増加が生じる。また、生成された二次キャリアが再び衝突イオン化を起こし、なだれ状にキャリアが増加するため、アバランシェ（なだれ）降伏と呼ばれることもある。
関連製品
1.36 A, 1 kV 耐圧 β-Ga2O3 double-implanted MOS トランジスタ
グローバルネット株式会社
ノベルクリスタルテクノロジー、宮本 広信
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