電気の製品一覧
多結晶Ge 系IV 族半導体薄膜の電気的特性制御
グローバルネット株式会社
筑波大、野沢 公暉
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貫通転位密度の異なる自立GaN 基板上にN/Mg イオン注入により作製したp-n 接合ダイオードの電気特性
グローバルネット株式会社
名大、伊藤 佑太
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HVPE 基板およびOVPE 基板上GaN エピ層の特性評価
グローバルネット株式会社
名工大、古橋 優
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高濃度n 型GaN スパッタ膜の表面形態および電気的特性の成膜温度依存性
グローバルネット株式会社
名大、田中 希帆
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N 極性面GaN/AlN 高電子移動度トランジスタのGaN チャネルの最適化
グローバルネット株式会社
山口大、藤井 開
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Si/Ge/SiO2 の低温成長とその構造及び電気特性評価
グローバルネット株式会社
山梨大、近藤 弘人
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表面電位測定による多結晶Ge 薄膜の粒界特性評価
グローバルネット株式会社
筑波大、前田 真太郎
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印刷とパルスレーザーアニールによるSi 基板上へのSiGe 薄膜成長
グローバルネット株式会社
名大、佐藤 剛志
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高温熱処理がn-GaN ショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性に与える影響
グローバルネット株式会社
名大、權 熊
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電流狭窄層に高抵抗歪超格子層を用いたSi 基板上AlGaN/GaN 縦型デバイス
グローバルネット株式会社
名工大、久保 俊晴
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