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高濃度n 型GaN スパッタ膜の表面形態および電気的特性の成膜温度依存性

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

名大、田中 希帆

GaN

基本情報

 GaN縦型パワーデバイスのオン抵抗を低減するため、高濃度n型GaNスパッタ膜のコンタクト抵抗低減技術が開発された。成膜温度を300°Cから600°Cに変化させて評価した結果、600°Cでの成膜は結晶性が高く、キャリア密度が1×1020cm−3 以上で、シート抵抗が100 Ω□以下と優れた特性を示した。500°Cでの成膜では結晶性は劣るものの、同様のキャリア密度が得られることが確認され、この技術はデバイスの性能向上に寄与すると期待される。

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グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F

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グローバルネット株式会社(GNC)は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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