CDの製品一覧
酸素イオン注入n 型GaN で観測される実効ドナー密度変動と長い捕獲時定数を持つトラップの関係性
グローバルネット株式会社
名大、林 慶祐 堀田 昌宏(本件に関わる問合せ先)
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貫通転位密度の異なる自立GaN 基板上にN/Mg イオン注入により作製したp-n 接合ダイオードの電気特性
グローバルネット株式会社
名大、伊藤 佑太
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GeSiSn/GeSn 二重障壁構造で観測した負性微分抵抗と動作特性解析
グローバルネット株式会社
名大、柴山 茂久
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HVPE 基板およびOVPE 基板上GaN エピ層の特性評価
グローバルネット株式会社
名工大、古橋 優
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小電力応用に優れた針接触Ge ショットキーバリアダイオードのデバイス特性
グローバルネット株式会社
東京工科大、安藤 陸
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Ni 超薄膜へのSiH4 照射によるシリサイド化反応制御
グローバルネット株式会社
名大、谷田 駿
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高濃度n 型GaN スパッタ膜の表面形態および電気的特性の成膜温度依存性
グローバルネット株式会社
名大、田中 希帆
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N 極性面GaN/AlN 高電子移動度トランジスタのGaN チャネルの最適化
グローバルネット株式会社
山口大、藤井 開
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極性反転層を用いた高品質Ｎ極性面AlN 上GaN/AlN HEMT の性能改善
グローバルネット株式会社
山口大、Aina Hiyama Zazuli
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AlN 系分極ドープFET の構造検討
グローバルネット株式会社
NTT、廣木 正伸
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