アニールの製品一覧
GaN npn 構造の電流－電圧特性の解析
グローバルネット株式会社
名大未来研、岡 徹
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フラッシュランプアニールによるエピタキシャルSi:P 層の再活性化
グローバルネット株式会社
株式会社SCREEN セミコンダクターソリューションズ、植野 雄守
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Cold wall 中H2S アニールによるPVD-MoS2膜残留硫黄抑制
グローバルネット株式会社
School of Engineering, Institute of Science Tokyo、松永 尚樹
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半導体製造デジタルツインモデルに向けた中間変数を利用する複数工程モデルでのケーススタディ
グローバルネット株式会社
豊田中研、岡地 涼輔
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光電気化学エッチングを施したp-GaN MOS 界面の特性に対する界面形成プロセスの影響
グローバルネット株式会社
北大、焦 一寧
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Mg イオン打ち込みしたGaN に対する850℃アニールの表面およびバルク欠陥への影響についてのMOS 構造を用いた評価(2)
グローバルネット株式会社
北大、新藤 源大
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ホモエピタキシャル成長n 型GaN において電子線照射によりEC − 1 eV 付近に形成される窒素変位関連トラップの熱アニール挙動
グローバルネット株式会社
名大、遠藤 彗 堀田 昌宏(本研究に関する問合せ先)
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印刷とパルスレーザーアニールによるGe 基板上へのGeSn 薄膜成長
グローバルネット株式会社
名大、佐藤 剛志
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貫通転位密度の異なる自立GaN 基板上にN/Mg イオン注入により作製したp-n 接合ダイオードの電気特性
グローバルネット株式会社
名大、伊藤 佑太
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印刷とパルスレーザーアニールによるSi 基板上へのSiGe 薄膜成長
グローバルネット株式会社
名大、佐藤 剛志
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