アニールの製品一覧
光電気化学エッチングを施したp-GaN MOS 界面の特性に対する界面形成プロセスの影響
グローバルネット株式会社
北京大学焦宜寧
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Mg イオン打ち込みしたGaN に対する850℃アニールの表面およびバルク欠陥への影響についてのMOS 構造を用いた評価(2)
グローバルネット株式会社
北大、新藤 源大
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ホモエピタキシャル成長n 型GaN において電子線照射によりEC − 1 eV 付近に形成される窒素変位関連トラップの熱アニール挙動
グローバルネット株式会社
名大、遠藤 彗 堀田 昌宏(本研究に関する問合せ先)
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印刷とパルスレーザーアニールによるGe 基板上へのGeSn 薄膜成長
グローバルネット株式会社
名大、佐藤 剛志
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貫通転位密度の異なる自立GaN 基板上にN/Mg イオン注入により作製したp-n 接合ダイオードの電気特性
グローバルネット株式会社
名大、伊藤 佑太
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印刷とパルスレーザーアニールによるSi 基板上へのSiGe 薄膜成長
グローバルネット株式会社
名大、佐藤 剛志
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KrF エキシマレーザーによるβ-Ga2O3 へのSn ドーピング
グローバルネット株式会社
九大、別府 美彩
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MgとNの連続イオン注入GaNにおけるMg拡散抑制のメカニズム
グローバルネット株式会社
名大、狩野 絵美
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Mg イオン注入p-GaN におけるN イオン連続注入の補償ドナー濃度低減効果
グローバルネット株式会社
名大、角田 健輔
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Mg チャネリングイオン注入および超高圧アニールを用いて作製した縦型GaN JBS ダイオード
グローバルネット株式会社
名大、北川 和輝
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