半導体用語集
アニール
英語表記：anneal
アニールは単純に日本語に翻訳すると「焼鈍（やきなまし）」にあたるが、シリコンウェハ製造やLSI製造の領域では、「酸化・拡散炉を用いたウェハに対する熱処理で、積極的に酸化や成膜を目的とはしていない処理」を指している場合が多い。したがってやや意味合いの広い表現であって、必ずしも特定の一工程を指す言葉ではない。
シリコンウェハ製造工程の中で行われる熱処理には、酸素ドナー消去熱処理（ドナーキラー処理）、ゲッタリング熱処理（IG処理、DZ-IG処理）、水素アニール処理などがあるが、これらはすべてアニールの範疇に属する処理である。LSI製造工程の中ではかなりの回数の熱処理が行われるが、それぞれその工程の過程・目的に沿った固有名称で呼ばれることが多いようで、アニールという表現がされるのはイオン注入加工後の活性化熱処理である場合が多いようである。
装置面では従来はアニール処理（を含む熱処理）は一度に100枚前後のウェハを処理できる抵抗加熱型のバッチ処理方式の熱処理炉（酸化拡散炉と呼ばれることが多い）が主に用いられており、直径150mmウェハまでは横型炉（炉の長軸方向が水平で、そこにボートに立てたウェハを入れるタイプ）が、直径150mm以降は縦型炉が主流である。しかしながら、従来の酸化拡散炉は熱容量が大きいので昇温降温速度をあまり大きくとれないために、比較的低温で短時間の熱処理の制御性がよくない。一方、LSIの集積度の向上により酸化膜厚や拡散深さが小さくなり、より低温で短時間の熱処理での制御性が重要になって来つつある。このため、最近ではこのような工程にはRTA炉（Rapid Thermal Annealer）という枚葉あるいは数枚バッチで超高速の昇降温ができるタイプのアニール炉が用いられるようになってきている。
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