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Mg イオン打ち込みしたGaN に対する850℃アニールの表面およびバルク欠陥への影響についてのMOS 構造を用いた評価(2)

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

北大、新藤 源大

GaN

基本情報

 GaN中の単純欠陥(Gai、Ni、VGa、VN)は850℃で拡散可能であることがわかっている。本報告では、Mgイオン注入後のGaNにおいて、850℃アニールの表面とバルク欠陥への効果をMOS構造を用いて調査した。アクセプター型欠陥準位の影響が示唆され、VGa VN複合欠陥が考えられる。

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グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F

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1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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