半導体用語集
レーザドーピング
英語表記：laser doping
レーザをエネルギー源として不純物を導入する方法。大きく分けて2種類ある。シリコン表面に不純物薄膜を形成または半導体に不純物をドーピングしておき、レーザビームを照射して溶融添加活性化する場合(レーザアニール)と、ガスと半導体が接した状態でレーザビームを照射し、溶融添加活性化する場合とがある。
第一の方法は、特に液晶の薄膜トランジスタに使われている。また、単結晶に関しては過飽和の状態でキャリアが活性化するために低い抵抗の拡散層が形成できる。
第二の方法は、リソグラフィの段階で直接マスクパターンを不純物層に転写ドーピングする方法で、これは GILD (Gas Immersion Laser Dopingと呼ばれている。いずれの方法も活性化の高い不純物層を形成することができるが、単結晶シリコンの場合は、引き続くプロセスで活性化したキャリアは保存できる可能性は少ない。また、現在のMOS構造では、特にエッジ端でのストレスが解消できないであろう。
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