イオン注入の製品一覧
Mg イオン打ち込みしたGaN に対する850℃アニールの表面およびバルク欠陥への影響についてのMOS 構造を用いた評価(2)
グローバルネット株式会社
北大、新藤 源大
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酸素イオン注入n 型GaN で観測される実効ドナー密度変動と長い捕獲時定数を持つトラップの関係性
グローバルネット株式会社
名大、林 慶祐 堀田 昌宏(本件に関わる問合せ先)
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貫通転位密度の異なる自立GaN 基板上にN/Mg イオン注入により作製したp-n 接合ダイオードの電気特性
グローバルネット株式会社
名大、伊藤 佑太
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高温熱処理がn-GaN ショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性に与える影響
グローバルネット株式会社
名大、權 熊
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KrF エキシマレーザーによるβ-Ga2O3 へのSn ドーピング
グローバルネット株式会社
九大、別府 美彩
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1.36 A, 1 kV 耐圧 β-Ga2O3 double-implanted MOS トランジスタ
グローバルネット株式会社
ノベルクリスタルテクノロジー、宮本 広信
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MgとNの連続イオン注入GaNにおけるMg拡散抑制のメカニズム
グローバルネット株式会社
名大、狩野 絵美
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Mg イオン注入p-GaN におけるN イオン連続注入の補償ドナー濃度低減効果
グローバルネット株式会社
名大、角田 健輔
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Mg チャネリングイオン注入および超高圧アニールを用いて作製した縦型GaN JBS ダイオード
グローバルネット株式会社
名大、北川 和輝
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