半導体用語集
サリサイド
英語表記：salicide : self-aligned silicide
自己整合シリサイドの略。MOSトランジスタのゲート電極とソース・ドレイン電極を同時に低抵抗化するためシリサイドをゲート電極とソース・ドレイン電極に対して自己整合的に形成する技術をいう。MOSトランジスタの低抵抗ゲート電極として、シリサイド薄膜をゲートポリシリコン膜の上に積層したWSi2 /poly-Si構造ポリサイドが開発されたがシリサイドを基板全面に形成した後、フォトリソグラフィとドライエッチングによりポリサイドをパターンニングしゲート電極を形成するためシリサイド形成後、ソース・ドレインイオン注入拡散およびその後の高温熱処理を行わなければならない。このため、CMOS (Complementary Meta Oxide Semiconductor)トランジスタを作製するに必要なp型、n型ソース・ドレイン拡散層およびゲート電極を形成すると、シリサイド層を通して不純物が相互に拡散してしまい、n型MOSトランジスタとp型MOSトランジスタのゲートポリシリコン中の不純物量が変化し、しきい値電圧が制御できないという問題がある。これを解決するためにソース・ドレイン拡散層を形成した後に、低抵抗ゲートシリサイド電極を形成する自己整合シリサイド技術が開発された。このプロセスはゲート電極となるポリシリコン上とソース・ド レインとなるSi基板上、およびそれ以外のウェハのSi02またはSi3N4に覆われた領域にシリサイドとなるチタン(Ti)またはコバルト(Co)などの金属薄膜を堆積し、高温で短時間熱処理すると、Si基板とポリシリコンが露出している領域にのみシリサイドが形成され、それ以外の領域は金属のまま残る。そこで、金属のみを工ッチングし、シリサイドは工ッチングしない選択的なウェット工ッチング液を用いて、Si上のシリサイドのみを残してすべて除去する。残ったシリサイドを600～700℃の短時間熱処理すると低抵抗のシリサイドがゲート電極とソ ース・ドレイン電極に対して自己整合的に形成される。
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