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イオン注入されたSi 基板のマイクロ波加熱

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2025年08月19日

沖縄高専、藤井 知

マイクロ波加熱
ミニマルウェハ
活性層形成

基本情報

 マイクロ波加熱(MWA)は化学反応の促進や金属酸化物の還元温度の低下に寄与する。特定の固体表面成分が選択的にマイクロ波を吸収することで局所的な加熱効果が生じる。この特性を活かし、MWAを最先端のSi-MOS-FETの活性層形成に適用することが検討されている。しかし、既存のMWA装置には定在波の影響や定量的な議論の不足が課題として残る。本研究では、ミニマルウエハにイオンを注入し、高精度マイクロ波発振器を用いたMWA実験を実施。結果、MWAはRTPより低温で同等のシート抵抗を得ることが可能であり、不純物拡散が抑制されることが確認された。MWAのメカニズムがSi表面からのジュール加熱に基づくことを示唆し、非加熱効果を持つ可能性があることが分かった。

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業種:産業用電気機器  所在地:東京都 港区中央 1-2-10 堀川ビル6F

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グローバルネット株式会社(GNC)は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2025年には創業35年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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