トランジスタの製品一覧
量子補正モンテカルロシミュレーションによるInAsSb HEMT の特性予測
グローバルネット株式会社
東理大先進工、児玉 直也
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超伝導量子ビット制御用クライオCMOS における高電圧nMOSFET の低温特性
グローバルネット株式会社
慶大理工、押尾 世文
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Gate-all-around FET 用TiAlC/TiN 電極の実効仕事関数へのF 混入の影響
グローバルネット株式会社
産総研 先端半導体研究センター、間部 謙三
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SADP 互換EB-R プロセスによるゲートパターン作製
グローバルネット株式会社
AIST SFRC、尹 成圓
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等電子トラップ援用トンネルFET 型量子ドットの高温動作条件
グローバルネット株式会社
産総研、飯塚 将太
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パワー半導体、歴史、発展、将来展望
グローバルネット株式会社
富士電機、藤平 龍彦
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100 GHz 帯1 W級GaN パワーアンプMMIC の開発
グローバルネット株式会社
富士通、熊崎 祐介
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フリーホイールダイオードを内蔵したソース接続分極超接合トランジスタの飽和電流増加構造の検討
グローバルネット株式会社
名大、小久保 瑛斗
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N 極性面GaN/AlN 高電子移動度トランジスタのGaN チャネルの最適化
グローバルネット株式会社
山口大、藤井 開
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極性反転層を用いた高品質Ｎ極性面AlN 上GaN/AlN HEMT の性能改善
グローバルネット株式会社
山口大、Aina Hiyama Zazuli
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