トランジスタの製品一覧
等電子トラップ援用トンネルFET 型量子ドットの高温動作条件
グローバルネット株式会社
産総研、飯塚 将太
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パワー半導体、歴史、発展、将来展望
グローバルネット株式会社
富士電機、藤平 龍彦
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100 GHz 帯1 W級GaN パワーアンプMMIC の開発
グローバルネット株式会社
富士通、熊崎 祐介
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フリーホイールダイオードを内蔵したソース接続分極超接合トランジスタの飽和電流増加構造の検討
グローバルネット株式会社
名大、小久保 瑛斗
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N 極性面GaN/AlN 高電子移動度トランジスタのGaN チャネルの最適化
グローバルネット株式会社
山口大、藤井 開
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極性反転層を用いた高品質N極性面AlN 上GaN/AlN HEMT の性能改善
グローバルネット株式会社
山口大、Aina Hiyama Zazuli
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表面電位測定による多結晶Ge 薄膜の粒界特性評価
グローバルネット株式会社
筑波大、前田 真太郎
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GaInSb HEMT のバリア層薄膜化による真性遅延時間低減
グローバルネット株式会社
東京理科大、河野 亮介
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The Study of Electrical Characteristics of GaN MIS-HEMT at Cryogenic Temperature
グローバルネット株式会社
国際半導体技術大学
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放熱が容易なLED 光反射型ダイスター
グローバルネット株式会社
京大、岡本賢一郎(本研究に関する連絡先:岡本研正)
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