半導体用語集
ポリサイド
英語表記：polycide
ポリシシコン（多結晶シリコン）上に金属シリサイドを重ねて構成したMOSトランジスタのゲート電極の構造で、polysiliconとsilicideとの合成語。一般に、金属シリサイドはポリシリコンの数分の一以下の比抵抗を有するため、ポリシリコンを用いたゲート電極とくらべて低抵抗化が可能となりゲート配線の遅延を改善できる。代表例としては、衛融点金属のシリサイドであるモリブデンシリサイド (MOSi₂)、タングステンシリサイド (WSi₂）を用いたポリサイドゲートが実用化されている。ポリサイド構造は、(1)ゲート絶縁膜に接するのがポリシリコンであるためポリシリコンゲートの高い信頼性を保てる、(2)ポリシリコンとの余分なシリサイド反応が発生せず熱的な安定性が高い、(3)シリサイドの応力をポリシリコンが緩和するためゲート絶縁膜の劣化を防止できる、(4)単体金属にくらベシリサイドは耐薬品性に優れるため各種薬液による前処理との整合性が高い、(5)耐酸化性が高い、などの優れた特徴を有しており、ポリシリコンゲートと整合性を保ちつつ低抵抗化が可能であるため、LSIで広く使われているゲート構造である。
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