半導体用語集
ポリサイド
英語表記：policide
MOSトランジスタのゲート電極として、低抵抗で耐熱性のあるシリサイド薄膜をゲートボリシリコン膜の上に積層した構造をポリサイドという。ゲ ート酸化膜に接する界面にはポリシリコン層(polysilicon)を置き、シリサイドは上層に置く構造にすることにより、ポリシリコン層でMOSトランジスタのしきい値を制御かっシリサイドのゲート酸化膜に対する応力を緩和し、シリサイドでゲート電極の低抵抗化を実現している。代表的なポリサイドはタングステンポリサイド(WSi2/poly-Si)で、ポリサイドの形成方法はポリシリコン薄膜をゲート酸化膜上にCVD法でSiH4の熱分解により形成した後、WとSiを混合プレスしたターゲットをArイオンによるスパッタリングで基板上にWSi2を形成する スパッタリング法、あるいはWF6とSiH2C12ガスを反応させてWSi2を形成するCVD (Chemical Vapor Deposition)法によりシリサイドを基板全面に形成する。その後、フォトリソグ ラフィとドライエッチングによりポリ サイドをバターンニングしゲート電極を形成する。
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