半導体用語集
トランジスタ
英語表記：transistor
化合物半導体はSiと比較し、高い電子移動度や大きいバンドギャップ、直接遷移型バンド構造など、いくつかの優位な物性を示す。ここで化合物とは、Ⅲ族、Ⅴ族の化合物を指す。原料埋蔵量の理由から、価格面では、大量に半導体を必要とする分野でのSiの優位性は変わらないものと予想されるが、化合物半導体も、その特徴を活かした分野、たとえば高周波や高速分野、光デバイスとの融合分野などで今後さらに用いられると考えられる。高周波通信分野などは、今後急速に発展することが確実視されている。
電界効果型トランジスタ（FET）では、金属-半導体接合型（MES-FET）や高度なヘテロ接合技術を用いた高移動度型（HEMT）など、バイポーラトランジスタでは、ワイドギャップエミッタ構造のヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）が、すでに高速・高周波用素子として実用化されている。また、ヘテロ技術を駆使した速度変調型（VMT）や電荷注入型（CHINT）、量子効果を用いた共鳴トンネル型（RHET）、非定常高速電子を用いるホットエレクトロン型（HET）やバリスティック電子型（BET）など、各種構造が提案されている。
材料としては、主にヒ化ガリウム（GaAs）、リン化インジウム（InP）など二元系や、これらにアルミニウムやインジウムなどを加えた三元系が用いられている。近年、高純度SiGe結晶成長技術の進展によって、Ⅳ-Ⅳ族バイポーラトランジスタの研究も進展し、高周波素子として一部実用化されている。
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