トランジスタの製品一覧
表面電位測定による多結晶Ge 薄膜の粒界特性評価
グローバルネット株式会社
筑波大、前田 真太郎
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GaInSb HEMT のバリア層薄膜化による真性遅延時間低減
グローバルネット株式会社
東京理科大、河野 亮介
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The Study of Electrical Characteristics of GaN MIS-HEMT at Cryogenic Temperature
グローバルネット株式会社
International College of Semiconductor Technology
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放熱が容易なLED 光反射型ダイスター
グローバルネット株式会社
京大、岡本賢一郎(本研究に関する連絡先：岡本研正)
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ミニマル液体ドーパント・プロセスを用いたMOSFET のシート抵抗の面内均一化
グローバルネット株式会社
ミニマルファブ推進機構、中道 修平
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1.36 A, 1 kV 耐圧 β-Ga2O3 double-implanted MOS トランジスタ
グローバルネット株式会社
ノベルクリスタルテクノロジー、宮本 広信
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β-(Al0.17Ga0.83)2O3 電界効果トランジスタ(MESFET)の電気的特性評価
グローバルネット株式会社
筑波大、森田 燎
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単一ペロブスカイト量子ドットの電気伝導特性
グローバルネット株式会社
東北工大、高橋 央輔
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Effect of Substrate Voltage on Band-to-Band Tunneling of Nanowire Esaki Diodes
グローバルネット株式会社
静岡大、B. Arif Rianto
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機能的な共ドープSi ナノトランジスタにおけるSOI 薄膜の解析
グローバルネット株式会社
静岡大、浅井 玲音
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