カテゴリー

Effect of Substrate Voltage on Band-to-Band Tunneling of Nanowire Esaki Diodes

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年08月29日

静岡大、B. Arif Rianto

トンネルFET

基本情報

 ナノエレクトロニクスにおけるデバイスの性能向上のためには、これまでサイズを小さくすることが重要であったが、シリコンベースのトランジスタの小型化には限界がある。この問題を解決するためエサキダイオードのバンド間トンネリング(BTBT)メカニズムが新世代のトンネル電界効果トランジスタ(TFETs)の開発に役立つ可能性がある。BTBTは、電圧が増加すると電流が減少する負性微分伝導(NDC)を示します。最近の研究では低温下でナノワイヤーエサキダイオード内のドーパントを介したBTBTの電子輸送メカニズムが明らかにされ、基板電圧(Vsub)の変調により、ドーパント状態を介した輸送やクーロンブロック効果が観察された。実験では約17Kで強いBTBT変調が順バイアス領域で観察され、Vsubの変化によってBTBTメカニズムが変化することが示された。この発見はTFETsの設計において基板電圧が重要な役割を果たすことを示している。

お問い合わせ

取扱企業

グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F

必要な情報をタイムリーに届けたい

グローバルネット株式会社(GNC)は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

Effect of Substrate Voltage on Band-to-Band Tunneling of Nanowire Esaki Diodes へのお問い合わせ

お問い合わせいただくにはログインいただき、プロフィール情報を入力していただく必要があります。


ご依頼目的 必須

ご要望 必須

お問い合わせ ご意見等


※お問い合わせの際、以下の出展者へご連絡先(所属名、部署名、業種、名前、電話番号、郵便番号、住所、メールアドレス)が通知されます。

Effect of Substrate Voltage on Band-to-Band Tunneling of Nanowire Esaki Diodes