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- 接着剤 接着テープ
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- はんだボール
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- セラミックパッケージ
- フリップチップ用エポキシ樹脂封止材
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- マスク基板
- マスクブランクス
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- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
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- 蒸着材料
機能的な共ドープSi ナノトランジスタにおけるSOI 薄膜の解析
静岡大、浅井 玲音
ナノ構造
基本情報
Siトランジスタはナノメートルスケールに縮小され、電子輸送は分子・原子レベルへと進化している。PドープされたSOI-FETsでは、ドナー量子ドットを介した単一電子トンネリング（SET）が室温でも動作することが確認されましたが、収率は低かったです。収率を向上させるため、Pドーピング後にBドーピングを施した共ドープSOI-FETsが作製され、低温でも高いSETデバイスの収率が観察された。これは、PドナーにBアクセプターを導入したことが影響したと考えられた。さらにチャネル幅90nm以下のデバイスでクーロンギャップが確認され、SETの動作が示された。ホウ素の影響を解明するため、THzビームラインを用いたエネルギースペクトルの分析も行われた。この研究は原子レベルでの電子輸送特性を理解する上で重要な進展である。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
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