拡散の製品一覧
イオン注入されたSi 基板のマイクロ波加熱
グローバルネット株式会社
沖縄高専、藤井 知
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無電解めっきによるCoMn 拡散バリア膜形成の検討
グローバルネット株式会社
関西大システム理工、新宮原 正三
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Gate-all-around FET 用TiAlC/TiN 電極の実効仕事関数へのF 混入の影響
グローバルネット株式会社
産総研 先端半導体研究センター、間部 謙三
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Si?Ge ヘテロ構造体内のLi イオン拡散速度についての第一原理計算
グローバルネット株式会社
株式会社トクヤマ、小泉 健一
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[第15回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演] Si0.1Ge0.9における室温スピン伝導の歪み効果
グローバルネット株式会社
阪大、内藤 貴大
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低温ハイブリッド接合応用に向けたSiCN 膜の界面特性解析
グローバルネット株式会社
横浜国大、佐藤 亮輔
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Mg イオン打ち込みしたGaN に対する850℃アニールの表面およびバルク欠陥への影響についてのMOS 構造を用いた評価(2)
グローバルネット株式会社
北大、新藤 源大
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高温熱処理がn-GaN ショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性に与える影響
グローバルネット株式会社
名大、權 熊
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電流狭窄層に高抵抗歪超格子層を用いたSi 基板上AlGaN/GaN 縦型デバイス
グローバルネット株式会社
名工大、久保 俊晴
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ミニマル液体ドーパント・プロセスを用いたMOSFET のシート抵抗の面内均一化
グローバルネット株式会社
ミニマルファブ推進機構、中道 修平
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