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[第15回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演]　Si0.1Ge0.9における室温スピン伝導の歪み効果
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低温ハイブリッド接合応用に向けたSiCN 膜の界面特性解析
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Mg イオン打ち込みしたGaN に対する850℃アニールの表面およびバルク欠陥への影響についてのMOS 構造を用いた評価(2)
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高温熱処理がn-GaN ショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性に与える影響
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電流狭窄層に高抵抗歪超格子層を用いたSi 基板上AlGaN/GaN 縦型デバイス
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ミニマル液体ドーパント・プロセスを用いたMOSFET のシート抵抗の面内均一化
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MgとNの連続イオン注入GaNにおけるMg拡散抑制のメカニズム
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Mg イオン注入p-GaN におけるN イオン連続注入の補償ドナー濃度低減効果
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Mg チャネリングイオン注入および超高圧アニールを用いて作製した縦型GaN JBS ダイオード
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