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- コーティング材料
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- 厚膜・その他レジスト
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- エッチングガス
- スラリー
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- 接着剤 接着テープ
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- リードフレーム
- はんだボール
- 封止樹脂
- セラミックパッケージ
- フリップチップ用エポキシ樹脂封止材
- バックグラインディングプロセス用テープ/ウエハレベルCSP用裏面保護フィルム
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- その他フィルム
- マスク基板
- マスクブランクス
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- 液晶材料
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- シール（封止）材（接着剤）／メインシール材／仮接着剤
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- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
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Mg チャネリングイオン注入および超高圧アニールを用いて作製した縦型GaN JBS ダイオード
名大、北川 和輝
GaN
基本情報
縦型GaNパワーデバイスの開発において、局所的なp型化を実現するためのイオン注入技術が重要である。本研究ではMgイオンをGaN結晶のc軸方向に沿って注入し、チャネリングイオン注入を用いてより深いp型領域を形成する方法を検討した。TCADシミュレーションを用いて、JBSダイオードの設計と試作を行い、逆バイアス時の電界分布を改善することに成功した。またチャネリング注入により、アノード電極部の電界が効果的に緩和されることが示された。試作されたJBSダイオードは、逆方向漏れ電流が低減され、p型領域間隔に依存する特性を示した。しかし注入Mgが横方向に拡散し、n型領域が狭くなることが明らかになり、デバイスの高性能化に向けたプロセスの工夫が重要であることが示された。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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