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[第15回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演] Si0.1Ge0.9における室温スピン伝導の歪み効果

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

阪大、内藤 貴大

スピンMOSFET

基本情報

 スピンMOSFETは低消費電力半導体素子として期待されており、室温での高い磁気抵抗比と効率的なスピン伝導の実現が主な課題である。最近の研究では、Geのスピン拡散長とスピン寿命がフォノンによるスピン反転散乱に支配されていることが判明した。本研究では、Si0.1Ge0.9における歪みがスピン拡散長とスピン寿命に与える影響を室温で調査しました。その結果、歪みを加えたSi0.1Ge0.9ではスピン拡散長が0.93μmに増大し、これは伝導帯谷のエネルギー分裂によるスピン反転散乱の抑制によるものと考えられる。このスピン拡散長の増大により、5μmの長距離スピン伝導が可能となり、スピンMOSFETの実現に向けた有効性が示された。

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1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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