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- エッチングガス
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- 接着剤 接着テープ
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- マスク基板
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- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
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[第15回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演] Si0.1Ge0.9における室温スピン伝導の歪み効果
阪大、内藤 貴大
スピンMOSFET
基本情報
スピンMOSFETは低消費電力半導体素子として期待されており、室温での高い磁気抵抗比と効率的なスピン伝導の実現が主な課題である。最近の研究では、Geのスピン拡散長とスピン寿命がフォノンによるスピン反転散乱に支配されていることが判明した。本研究では、Si0.1Ge0.9における歪みがスピン拡散長とスピン寿命に与える影響を室温で調査しました。その結果、歪みを加えたSi0.1Ge0.9ではスピン拡散長が0.93μmに増大し、これは伝導帯谷のエネルギー分裂によるスピン反転散乱の抑制によるものと考えられる。このスピン拡散長の増大により、5μmの長距離スピン伝導が可能となり、スピンMOSFETの実現に向けた有効性が示された。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
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