温度の製品一覧
300～600 ℃の低温処理用ミニマルレーザ加熱装置の開発(Ⅲ)
グローバルネット株式会社
ミニマルファブ推進機構、佐藤 和重
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高濃度Al ドープ4H-SiC におけるキャリア再結合
グローバルネット株式会社
名工大、加藤 正史
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光学干渉非接触温度測定法(OICT)を用いた有機層/半導体界面の過渡熱伝導の測定
グローバルネット株式会社
広大、Yu Jiawen
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等電子トラップ援用トンネルFET 型量子ドットの高温動作条件
グローバルネット株式会社
産総研、飯塚 将太
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ホモエピタキシャル成長n 型GaN において電子線照射によりEC − 1 eV 付近に形成される窒素変位関連トラップの熱アニール挙動
グローバルネット株式会社
名大、遠藤 彗 堀田 昌宏(本研究に関する問合せ先)
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高濃度n 型GaN スパッタ膜の表面形態および電気的特性の成膜温度依存性
グローバルネット株式会社
名大、田中 希帆
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電流狭窄層に高抵抗歪超格子層を用いたSi 基板上AlGaN/GaN 縦型デバイス
グローバルネット株式会社
名工大、久保 俊晴
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The Study of Electrical Characteristics of GaN MIS-HEMT at Cryogenic Temperature
グローバルネット株式会社
International College of Semiconductor Technology
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マイクロプロセッサ，パワーエレクトロニクスにおける熱設計・熱制御
グローバルネット株式会社
足利大、西 剛伺
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Ti/Au 積層電気金めっき錘の反り変形の熱処理温度依存性評価
グローバルネット株式会社
東工大、森 達彦
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