温度の製品一覧
高発光強度FLA を用いたMo の低抵抗化
【この成果は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業」（JPNP20017）の助成事業の結果得られたものである】
グローバルネット株式会社
株式会社SCREEN セミコンダクターソリューションズ、吉田侃生
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イオン注入されたSi 基板のマイクロ波加熱
グローバルネット株式会社
沖縄高専、藤井 知
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UV/Dry Air 処理による半導体基板上フッ素系ポリマー膜の除去
グローバルネット株式会社
熊大院自、小石 航平
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CuI を原料とする選択CVD 法によるShallow-trench 上へのCu 成長
グローバルネット株式会社
茨城大院、宮本 裕
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フラッシュランプアニールによるエピタキシャルSi:P 層の再活性化
グローバルネット株式会社
株式会社SCREEN セミコンダクターソリューションズ、植野 雄守
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超伝導量子ビット制御用クライオCMOS における高電圧nMOSFET の低温特性
グローバルネット株式会社
慶大理工、押尾 世文
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MOSFET雑?の広帯域計測とその温度依存性に関する考察
グローバルネット株式会社
（株）デバイスラボ、??利 健治
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半導体製造デジタルツインモデルに向けた中間変数を利用する複数工程モデルでのケーススタディ
グローバルネット株式会社
豊田中研、岡地 涼輔
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Ge 上ゲートスタックの低温熱処理効果
グローバルネット株式会社
九州大学大学院総合理工学府、鍬釣 一
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エピタキシャル成長したSi0.7Ge0.3およびSi 薄膜におけるH2希釈CF4ガスによるドライエッチング ? 基板温度依存性?
グローバルネット株式会社
名大院工、尾崎 孝太朗
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