ドーピングの製品一覧
4H-SiC への<0001>方向チャネリングイオン注入:Si 面とC 面は同じか？
グローバルネット株式会社
名工大、加藤 正史
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二次元電子ガスを有さない薄層AlGaN/GaNヘテロ構造へのオーミック接触に対する多端子ホール測定
グローバルネット株式会社
アドバンテスト研究所、瓜生 和也
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多結晶Ge 系IV 族半導体薄膜の電気的特性制御
グローバルネット株式会社
筑波大、野沢 公暉
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酸素イオン注入n 型GaN で観測される実効ドナー密度変動と長い捕獲時定数を持つトラップの関係性
グローバルネット株式会社
名大、林 慶祐 堀田 昌宏(本件に関わる問合せ先)
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AlN 系分極ドープFET の構造検討
グローバルネット株式会社
NTT、廣木 正伸
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KrF エキシマレーザーによるβ-Ga2O3 へのSn ドーピング
グローバルネット株式会社
九大、別府 美彩
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ミニマル液体ドーパント・プロセスを用いたMOSFET のシート抵抗の面内均一化
グローバルネット株式会社
ミニマルファブ推進機構、中道 修平
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機能的な共ドープSi ナノトランジスタにおけるSOI 薄膜の解析
グローバルネット株式会社
静岡大、浅井 玲音
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pnトンネルダイオードのための共ドープ超薄膜SOI 絶縁体層の解析
グローバルネット株式会社
静岡大、増井 駿
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MgとNの連続イオン注入GaNにおけるMg拡散抑制のメカニズム
グローバルネット株式会社
名大、狩野 絵美
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