半導体用語集
前工程
英語表記：front-end process, wafer process
前工程は、半導体製造における前半の工程で、シリコンウェハ上にICを作り込む工程であることからウェハ処理工程（ウェハプロセス）とも呼ばれる。ウェハ処理工程は、その作業のほとんどをクリーンルーム内において行う。さらに、この前工程を拡散中心の前工程と、配線中心の後工程に分ける考え方もある。
ICを作り込む大まかな流れを示すと以下のとおりである。酸化膜形成→フォトレジスト（感光材）の塗布→露光→現像→エッチング→ドーピング→金属膜の蒸着。この一連の工程を必要に応じて繰り返し行うことによって、ICは製造される。一般的には、ICをシリコン上に形成した後で行うウェハテスト（プローブテスト）までが、前工程と呼ばれる。
近年の前工程における最大の変化は、第一には、多層（配線）化の流れであろう。多層化を進めるために、金属膜形成に必要な製造プロセスの比率が高まる傾向にある。また、多層配線の流れの中で平坦化が重要となっているが、平坦化技術の一つとして、CMP（Chemical Mechanical Polishing）の導入も本格化している点が特徴的であろう。第二は、工場コンセプトの変化であろう。DRAMメーカーがこれまで構築してきたような大量専用工場だけでなく、混流生産や、中規模量産といったバラエティが増えよう。また、配線工程と後工程の融合もありえよう。これにより、前工程のエ場コンセプトは大きく変わる可能性が出てきている。
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