半導体用語集
半導体製造装置
英語表記：semiconductor production equipment
半導体の製造は、一部の化合物半導体を除きシリコンを用い、多結晶シリコン材料をCZ法（チョクラルスキー法あるいは引き上げ法、主としてLSIに利用される）、あるいはFZ法（フローティングゾーン法、主として大電カ半導体に利用される）によって単結晶のシリコンを作り、それを大根の輪切りのように1枚1枚切って、シリコンウェハを作る。そのウェハを原材料として半導体は製造される。なお、半導体製造は、現在工程の便宜上、ウェハを製造する前工程と、それからダイシング、ボンディング、パッケージ封止、テストまでの後工程（組み立てエ程）と二分割してとらえている。各プロセスにおける主な製造設備をあげると、
〔前工程（ウェハプロセス）〕
ステッパおよびスキャナ装置（露光）、エッチング装置、イオン注入装置スパッタリング装置、CVD（Chemical Vapor Deposition）装置、ダイシング装置、ウェハプローバおよびウェハテスト装置などがある。
〔後工程（組み立て工程）〕
マウント装置、ボンディング装置、モールディング装置、リードおよびフォーミング装置、めっき装置および製品テスト装置などがある。
また、品質保証・確認工程においても、各種測定器を中心として、各種環境試験装置（PCT: Pressure Cooker Test; 耐湿性試験機、恒温槽オーブンなど高温・低温試験装置）が必要であり、またウェハ、チップから完成品までの各種工程内および工場内搬送装置、純水製造装置、さらには複雑な工程および生産管理のための工程管理、制御装置なども必要である。
なお、半導体各メーカーは、1990年代1,000億を超える大型投資が主としてウェハの大口径化に伴って増加、継続させてきた。しかし今後は投資金額の大型化、チップサイズの縮小化に伴い、製造工程および経営形態の変化が予想される。すなわち投資の抑制、リスク削減から大型アライアンスによる開発、製造体制の変化が考えられ、特にウェハの大口径化に対応可能なスケーラビリティの向上、チップサイズの小型化（CSP（Chip Size Package）など）などに伴う、前工程と後工程の同一工程化（後工程の前工程への吸収）、配線（多層）重視のプロセスヘの変更、買い上げからリース、出来高払いなど、半導体製造装置メーカーと半導体メーカーのビジネス形態の変化が予想される。
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